嵌入式板級(jí)封裝
 

　　汽車電驅(qū)系統(tǒng)正在朝著更高電壓(1200V)、更高集成度不斷發(fā)展。高集成度特別是“嵌入式板級(jí)封裝(Embedded Die Substrate Package)”帶來了傳統(tǒng)封裝的優(yōu)勢(shì)：更小體積、更優(yōu)散熱、更優(yōu)電氣性能(低感、低阻)、更高可靠性。
 

　　新型封裝面對(duì)新的挑戰(zhàn)：局部放電
 

　　與此同時(shí)，高度集成及更高電壓的應(yīng)用，為上述新型封裝絕緣特性帶來了新的挑戰(zhàn)：局部放電。它是由于不同封裝材料在交接界面處出現(xiàn)了邊緣終止，同時(shí)切換為不同介電特性的其他材料，造成了交界面處電場(chǎng)的高度集中，特別是在封裝內(nèi)部絕緣系統(tǒng)出現(xiàn)微觀局部缺陷(氣泡、裂紋、雜質(zhì)等)的位置。局部放電的發(fā)生促使芯片周圍封裝材料進(jìn)一步放電碳化，嚴(yán)重時(shí)高電場(chǎng)瞬時(shí)能量的釋放甚至損傷包覆性差的芯片邊緣。
 

　　Pengyu Fu等人通過電場(chǎng)分布的仿真工作，證實(shí)了以上局放的發(fā)生機(jī)理及放電易發(fā)生位置。
 

　　廣電計(jì)量解決方案
 

　　廣電計(jì)量在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步研究驗(yàn)證了1200V SiC芯片封裝在嵌入式板級(jí)結(jié)構(gòu)中發(fā)生局部放電的現(xiàn)象。
 

　　通過深入研究，我們驗(yàn)證了局部放電測(cè)試同時(shí)搭配破壞性物理分析可以作為檢查此類特殊封裝結(jié)構(gòu)是否存在微觀缺陷的有效分析手段。
 

　　實(shí)際測(cè)試結(jié)果不但印證了上述電場(chǎng)仿真所明確的典型失效位置、形貌，并且還進(jìn)一步明確了芯片周圍存在封裝空洞缺陷所導(dǎo)致的典型失效模式。
 

　　面對(duì)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的更高集成化、更高電壓應(yīng)用，新的封裝形式不斷面對(duì)新的可靠性問題。廣電計(jì)量先進(jìn)封裝分析中心積極布局技術(shù)前沿，在功率封裝、2.5D等先進(jìn)封裝領(lǐng)域積累了豐富的分析經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)緊貼客戶研發(fā)一線，深入合作開展一系列非標(biāo)分析驗(yàn)證工作。
 

　　廣電計(jì)量半導(dǎo)體服務(wù)優(yōu)勢(shì)
 

　　工業(yè)和信息化部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)”。
 

　　工業(yè)和信息化部“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺(tái)”。
 

　　國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)“導(dǎo)航產(chǎn)品板級(jí)組件質(zhì)量檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)”。
 

　　廣東省工業(yè)和信息化廳“汽車芯片檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)”。
 

　　江蘇省發(fā)展和改革委員會(huì)“第三代半導(dǎo)體器件性能測(cè)試與材料分析工程研究中心”。
 

　　上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)“大規(guī)模集成電路分析測(cè)試平臺(tái)”。
 

　　在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個(gè)型號(hào)的芯片驗(yàn)證，并支持完成多款型號(hào)芯片的工程化和量產(chǎn)。
 

　　在車規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324能力，獲得了近50家車廠的認(rèn)可，出具近400份AEC-Q及AQG324報(bào)告，助力100多款車規(guī)元器件量產(chǎn)。
 

　　在衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，獲委任為空間環(huán)境地面模擬裝置用戶委員會(huì)委員單位，建設(shè)了行業(yè)射頻高精度集成電路檢測(cè)能力，致力成為北斗導(dǎo)航芯片工程化量產(chǎn)測(cè)試的保障者。